陶氏膜元件的清洗核心是 “先判斷汙染類型，再針對性選清洗劑 + 規範操作”，避免盲目清洗損傷膜元件，確保恢複產水通量和脫鹽率。
一、清洗前準備與汙染判斷
1. 清洗觸發條件
標準化產水通量下降 10%-15%，或段間壓差升高 15%-20%，或脫鹽率明顯下降（通常≥2%）。
係統停機前常規保養清洗，或長期運行後定期維護清洗（建議 3-6 個月一次，依水質調整）。
2. 汙染類型判斷（關鍵前提）
碳酸鹽垢：進水硬度高、回收率高，膜表麵有白色結晶，清洗後通量快速恢複。
硫酸鹽 / 矽酸鹽垢：難溶於酸，需專用除垢劑，常伴隨通量持續下降。
有機物汙染：進水 COD 高，膜表麵黏滑、有異味，段間壓差緩慢升高。
生物汙染：膜表麵有黏泥、顏色發暗，伴隨微生物異味，需先殺菌預處理。
金屬氧化物汙染（鐵、錳、銅）：膜表麵呈紅棕色或黑色斑點，酸洗後有明顯雜質脫落。
二、核心清洗流程（通用步驟）
衝洗排汙：用反滲透產水或去離子水，以低壓（0.1-0.2MPa）、高流量衝洗膜元件，排出濃水側殘留汙染物，衝洗時間 10-15 分鍾。
配製清洗液：按汙染類型選擇專用清洗劑，用產水溶解，控製 pH 值（酸洗液 2.0-3.0，堿洗液 10.0-11.0），溫度保持 25-35℃（溫度越高清洗效果越好，不超過膜耐受上限 45℃）。
循環清洗：將清洗液注入膜係統，以 0.15-0.25MPa 壓力、低流量（約為正常產水量的 30%-50%）循環，循環時間 20-60 分鍾；重度汙染可靜置浸泡 30-60 分鍾後再循環。
漂洗中和：用產水或去離子水衝洗膜元件，直至排出水的 pH 值恢複至 6.0-8.0，且無清洗劑殘留（可通過電導率檢測確認）。
恢複運行：啟動係統，先以低壓、低回收率運行 30 分鍾，再逐步恢複至正常運行參數。
三、針對性清洗方案（按汙染類型）
1. 無機垢（碳酸鹽、硫酸鹽、金屬氧化物）
清洗劑：檸檬酸（1%-2% 濃度）、鹽酸（0.5%-1% 濃度，控製 pH2.0-3.0），硫酸鹽垢可添加專用螯合劑（如 EDTA）。
操作要點：循環清洗時可適當升溫（30-35℃），增強除垢效果；避免用高濃度強酸長時間浸泡，防止膜片腐蝕。
2. 有機物與生物汙染
清洗劑：氫氧化鈉（0.1%-0.5% 濃度）+ 表麵活性劑（如十二烷基苯磺酸鈉，0.1%-0.2%），控製 pH10.0-11.0。
操作要點：生物汙染需先投加殺菌劑（如 500-1000mg/L 次氯酸鈉）預處理 30 分鍾，再進行堿洗；表麵活性劑需選擇與膜兼容的非離子型產品。
3. 混合汙染（常見場景）
清洗順序：先堿洗（去除有機物和生物黏泥）→ 漂洗 → 酸洗（去除無機垢）→ 最終漂洗。
注意事項：兩次清洗之間必須充分漂洗，避免酸堿清洗劑混合發生反應，生成沉澱堵塞膜孔。
四、清洗注意事項
禁止使用含氯、甲醛等氧化性強的清洗劑，陶氏聚酰胺膜對氧化劑敏感，會導致膜片降解。
清洗液需用反滲透產水或去離子水配製，避免引入新的汙染物或硬度離子。
控製清洗壓力和流量，避免高壓衝擊導致膜元件端麵密封損壞或膜片脫落。
若一次清洗效果不佳，可重複清洗 1-2 次，或調整清洗劑濃度、溫度，禁止盲目延長清洗時間。
清洗後若通量、脫鹽率仍未恢複，需檢查膜元件是否存在物理損傷（如膜片劃傷、端麵泄漏），必要時更換膜元件。
